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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF6G13LS-250PGJ

Name: Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF6G13LS-250PGJ
Brand: Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF6G13LS-250PGJ
SKU: Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF6G13LS-250PGJ
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (111 reviews)

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF6G13LS-250PGJ

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Dettagli:

Luogo di origine:	Originale

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	Negoziabile
Prezzo:	Negotiable
Tempi di consegna:	Negoziabile
Termini di pagamento:	T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione:	100000

Contatto

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF6G13LS-250PGJ

descrizione

Numero del pezzo:	BLF6G13LS-250PGJ	Produttore:	Ampleon USA Inc.
Descrizione:	FET LDMOS 100V 17DB SOT1121E di RF	Categoria:	Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:	Transistor - FETs, MOSFETs - rf

Specifiche di BLF6G13LS-250PGJ

Stato della parte	Attivo
Tipo del transistor	LDMOS
Frequenza	1.3GHz
Guadagno	17dB
Tensione - prova	50V
Valutazione corrente	-
Figura di rumore	-
Corrente - prova	100mA
Uscita elettrica	250W
Tensione - stimata	100V
Pacchetto/caso	SOT-1121E
Pacchetto del dispositivo del fornitore	LDMOST
Spedizione	UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza	Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di BLF6G13LS-250PGJ

Rilevazione

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF6G13LS-250PGJ 0

Prodotto Tag:

Persona di contatto: Darek

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