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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLC9G20LS-361AVTY

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLC9G20LS-361AVTY

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLC9G20LS-361AVTY
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLC9G20LS-361AVTY

Grande immagine :  Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLC9G20LS-361AVTY

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLC9G20LS-361AVTY

descrizione
Numero del pezzo: BLC9G20LS-361AVTY Produttore: Ampleon USA Inc.
Descrizione: FET LDMOS 65V 15.7DB SOT12583 di RF Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - rf

Specifiche di BLC9G20LS-361AVTY

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor LDMOS (doppio), fonte comune
Frequenza 1.81GHz ~ 1.88GHz
Guadagno 15.7dB
Tensione - prova 28V
Valutazione corrente -
Figura di rumore 0.6dB
Corrente - prova 300mA
Uscita elettrica 360W
Tensione - stimata 65V
Pacchetto/caso SOT-1258-3
Pacchetto del dispositivo del fornitore DFM6
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di BLC9G20LS-361AVTY

Rilevazione

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Dettagli di contatto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona di contatto: Darek

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