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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLP05H635XRY

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLP05H635XRY

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLP05H635XRY
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLP05H635XRY

Grande immagine :  Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLP05H635XRY

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLP05H635XRY

descrizione
Numero del pezzo: BLP05H635XRY Produttore: Ampleon USA Inc.
Descrizione: FET LDMOS 135V 27DB SOT12232 di RF Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - rf

Specifiche di BLP05H635XRY

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor LDMOS (doppio), fonte comune
Frequenza 108MHz
Guadagno 27dB
Tensione - prova 50V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 10mA
Uscita elettrica 35W
Tensione - stimata 135V
Pacchetto/caso SOT-1223-2
Pacchetto del dispositivo del fornitore 4-HSOPF
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di BLP05H635XRY

Rilevazione

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