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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8P20160HR3

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8P20160HR3

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8P20160HR3
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8P20160HR3

Grande immagine :  Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8P20160HR3

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8P20160HR3

descrizione
Numero del pezzo: MRF8P20160HR3 Produttore: NXP USA Inc.
Descrizione: FET RF 2CH 65V 1.92GHZ Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - rf

Specifiche MRF8P20160HR3

Stato della parte Obsoleto
Tipo del transistor LDMOS (doppio)
Frequenza 1.92GHz
Guadagno 16.5dB
Tensione - prova 28V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 550mA
Uscita elettrica 37W
Tensione - stimata 65V
Pacchetto/caso NI-780-4
Pacchetto del dispositivo del fornitore NI-780-4
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare MRF8P20160HR3

Rilevazione

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