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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF7G22L-130,112

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF7G22L-130,112

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF7G22L-130,112
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF7G22L-130,112

Grande immagine :  Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF7G22L-130,112

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF7G22L-130,112

descrizione
Numero del pezzo: BLF7G22L-130,112 Produttore: Ampleon USA Inc.
Descrizione: FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502A di RF Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - rf

Specifiche BLF7G22L-130,112

Stato della parte Obsoleto
Tipo del transistor LDMOS
Frequenza 2.11GHz ~ 2.17GHz
Guadagno 18.5dB
Tensione - prova 28V
Valutazione corrente 28A
Figura di rumore -
Corrente - prova 950mA
Uscita elettrica 30W
Tensione - stimata 65V
Pacchetto/caso SOT-502A
Pacchetto del dispositivo del fornitore LDMOST
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare BLF7G22L-130,112

Rilevazione

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF7G22L-130,112 0Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF7G22L-130,112 1Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF7G22L-130,112 2Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF7G22L-130,112 3

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