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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NE5511279A-T1-A

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NE5511279A-T1-A

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Grande immagine :  Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NE5511279A-T1-A

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NE5511279A-T1-A

descrizione
Numero del pezzo: NE5511279A-T1-A Produttore: Zilog
Descrizione: FET RF 20V 900MHZ 79A-PKG Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - rf

Specifiche di NE5511279A-T1-A

Stato della parte Obsoleto
Tipo del transistor LDMOS
Frequenza 900MHz
Guadagno 15dB
Tensione - prova 7.5V
Valutazione corrente 3A
Figura di rumore -
Corrente - prova 400mA
Uscita elettrica 40dBm
Tensione - stimata 20V
Pacchetto/caso 4-SMD, cavi piani
Pacchetto del dispositivo del fornitore 79A
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di NE5511279A-T1-A

Rilevazione

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NE5511279A-T1-A 0Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NE5511279A-T1-A 1Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NE5511279A-T1-A 2Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NE5511279A-T1-A 3

Dettagli di contatto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona di contatto: Darek

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