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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF6V12500HR3

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF6V12500HR3

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF6V12500HR3
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF6V12500HR3

Grande immagine :  Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF6V12500HR3

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000
Contatto

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF6V12500HR3

descrizione
Numero del pezzo: MRF6V12500HR3 Produttore: NXP USA Inc.
Descrizione: FET RF 110V 1.03GHZ NI-780H Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - rf

Specifiche MRF6V12500HR3

Stato della parte Cessato alla Digi-chiave
Tipo del transistor LDMOS
Frequenza 1.03GHz
Guadagno 19.7dB
Tensione - prova 50V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 200mA
Uscita elettrica 500W
Tensione - stimata 110V
Pacchetto/caso NI-780
Pacchetto del dispositivo del fornitore NI-780
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare MRF6V12500HR3

Rilevazione

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Prodotto Tag:

Transistor di effetto del giacimento del FET,

Transistor del Mosfet di potere,

Transistor di effetto di campo del chip 75VPower del Mosfet

Dettagli di contatto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona di contatto: Darek

Telefono: +8615017926135

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