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BLL1214-250R, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

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BLL1214-250R, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

BLL1214-250R, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs
BLL1214-250R, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

Grande immagine :  BLL1214-250R, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

BLL1214-250R, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

descrizione
Numero del pezzo: BLL1214-250R, 112 Produttore: Ampleon USA Inc.
Descrizione: FET LDMOS 75V 13DB SOT502A di RF Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - rf

BLL1214-250R, 112 specifiche

Stato della parte Obsoleto
Tipo del transistor LDMOS
Frequenza 1.2GHz ~ 1.4GHz
Guadagno 13dB
Tensione - prova 36V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 150mA
Uscita elettrica 250W
Tensione - stimata 75V
Pacchetto/caso SOT-502A
Pacchetto del dispositivo del fornitore LDMOST
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

BLL1214-250R, 112 che imballano

Rilevazione

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Dettagli di contatto
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