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BLF6G27LS-50BN, un chip di 118 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

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BLF6G27LS-50BN, un chip di 118 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

BLF6G27LS-50BN, un chip di 118 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs
BLF6G27LS-50BN, un chip di 118 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

Grande immagine :  BLF6G27LS-50BN, un chip di 118 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000
Contatto

BLF6G27LS-50BN, un chip di 118 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

descrizione
Numero del pezzo: BLF6G27LS-50BN, 118 Produttore: NXP USA Inc.
Descrizione: TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT1112B Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - rf

BLF6G27LS-50BN, 118 specifiche

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor LDMOS (doppio)
Frequenza 2.5GHz ~ 2.7GHz
Guadagno 16.5dB
Tensione - prova 28V
Valutazione corrente 12A
Figura di rumore -
Corrente - prova 430mA
Uscita elettrica 3W
Tensione - stimata 65V
Pacchetto/caso SOT-1112B
Pacchetto del dispositivo del fornitore CDFM6
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

BLF6G27LS-50BN, 118 che imballano

Rilevazione

BLF6G27LS-50BN, un chip di 118 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs 0BLF6G27LS-50BN, un chip di 118 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs 1BLF6G27LS-50BN, un chip di 118 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs 2BLF6G27LS-50BN, un chip di 118 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs 3

Prodotto Tag:

Transistor di effetto del giacimento del FET,

Transistor del Mosfet di potere,

Transistor di effetto di campo del chip 75VPower del Mosfet

Dettagli di contatto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona di contatto: Darek

Telefono: +8615017926135

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