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BLF7G22L-250P, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

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BLF7G22L-250P, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

BLF7G22L-250P, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs
BLF7G22L-250P, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

Grande immagine :  BLF7G22L-250P, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

BLF7G22L-250P, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

descrizione
Numero del pezzo: BLF7G22L-250P, 112 Produttore: Ampleon USA Inc.
Descrizione: FET LDMOS 65V 18.5DB SOT539A di RF Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - rf

BLF7G22L-250P, 112 specifiche

Stato della parte Obsoleto
Tipo del transistor LDMOS (doppio), fonte comune
Frequenza 2.11GHz ~ 2.17GHz
Guadagno 18.5dB
Tensione - prova 28V
Valutazione corrente 65A
Figura di rumore -
Corrente - prova 1.9A
Uscita elettrica 70W
Tensione - stimata 65V
Pacchetto/caso SOT539A
Pacchetto del dispositivo del fornitore SOT539A
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

BLF7G22L-250P, 112 che imballano

Rilevazione

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