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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLC6G22LS-75,112

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLC6G22LS-75,112

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLC6G22LS-75,112
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLC6G22LS-75,112

Grande immagine :  Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLC6G22LS-75,112

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLC6G22LS-75,112

descrizione
Numero del pezzo: BLC6G22LS-75,112 Produttore: NXP USA Inc.
Descrizione: FET RF LDMOS 28V 690MA SOT896B Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - rf

Specifiche BLC6G22LS-75,112

Stato della parte Obsoleto
Tipo del transistor LDMOS
Frequenza 2.11GHz ~ 2.17GHz
Guadagno 18.5dB
Tensione - prova 28V
Valutazione corrente 18A
Figura di rumore -
Corrente - prova 690mA
Uscita elettrica 17W
Tensione - stimata 65V
Pacchetto/caso SOT896B
Pacchetto del dispositivo del fornitore SOT896B, DFM2
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare BLC6G22LS-75,112

Rilevazione

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLC6G22LS-75,112 0Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLC6G22LS-75,112 1Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLC6G22LS-75,112 2Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLC6G22LS-75,112 3

Dettagli di contatto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona di contatto: Darek

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