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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF8G22LS-160BVX

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF8G22LS-160BVX

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF8G22LS-160BVX
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF8G22LS-160BVX

Grande immagine :  Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF8G22LS-160BVX

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF8G22LS-160BVX

descrizione
Numero del pezzo: BLF8G22LS-160BVX Produttore: Ampleon USA Inc.
Descrizione: FET LDMOS 65V 18DB SOT1244B di RF Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - rf

Specifiche di BLF8G22LS-160BVX

Stato della parte Affare di ultima volta
Tipo del transistor LDMOS (doppio), fonte comune
Frequenza 2.11GHz ~ 2.17GHz
Guadagno 18dB
Tensione - prova 32V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 1.3A
Uscita elettrica 55W
Tensione - stimata 65V
Pacchetto/caso SOT-1244B
Pacchetto del dispositivo del fornitore SOT1244B
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di BLF8G22LS-160BVX

Rilevazione

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