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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF6G27-10GHJ

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF6G27-10GHJ

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF6G27-10GHJ

Grande immagine :  Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF6G27-10GHJ

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000
Contatto

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF6G27-10GHJ

descrizione
Numero del pezzo: BLF6G27-10GHJ Produttore: Ampleon USA Inc.
Descrizione: FET LDMOS 65V 19DB SOT975C di RF Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - rf

Specifiche di BLF6G27-10GHJ

Stato della parte Affare di ultima volta
Tipo del transistor LDMOS
Frequenza 2.5GHz ~ 2.7GHz
Guadagno 19dB
Tensione - prova 28V
Valutazione corrente 3.5A
Figura di rumore -
Corrente - prova 130mA
Uscita elettrica 2W
Tensione - stimata 65V
Pacchetto/caso SOT-975C
Pacchetto del dispositivo del fornitore SOT-975C
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di BLF6G27-10GHJ

Rilevazione

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Prodotto Tag:

Transistor di effetto del giacimento del FET,

Transistor del Mosfet di potere,

Transistor di effetto di campo del chip 75VPower del Mosfet

Dettagli di contatto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona di contatto: Darek

Telefono: +8615017926135

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