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BLF6G10S-45K, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

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BLF6G10S-45K, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

BLF6G10S-45K, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs
BLF6G10S-45K, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

Grande immagine :  BLF6G10S-45K, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

BLF6G10S-45K, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

descrizione
Numero del pezzo: BLF6G10S-45K, 112 Produttore: Ampleon USA Inc.
Descrizione: FET LDMOS 65V 23DB SOT608B di RF Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - rf

BLF6G10S-45K, 112 specifiche

Stato della parte Affare di ultima volta
Tipo del transistor LDMOS
Frequenza 922.5MHz ~ 957.5MHz
Guadagno 23dB
Tensione - prova 28V
Valutazione corrente 13A
Figura di rumore -
Corrente - prova 350mA
Uscita elettrica 1W
Tensione - stimata 65V
Pacchetto/caso SOT-608B
Pacchetto del dispositivo del fornitore SOT-608B
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

BLF6G10S-45K, 112 che imballano

Rilevazione

BLF6G10S-45K, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs 0BLF6G10S-45K, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs 1BLF6G10S-45K, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs 2BLF6G10S-45K, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs 3

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