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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLC8G27LS-160AVHY

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLC8G27LS-160AVHY

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLC8G27LS-160AVHY
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLC8G27LS-160AVHY

Grande immagine :  Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLC8G27LS-160AVHY

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLC8G27LS-160AVHY

descrizione
Numero del pezzo: BLC8G27LS-160AVHY Produttore: Ampleon USA Inc.
Descrizione: FET LDMOS 28V 14.5DB SOT12751 di RF Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - rf

Specifiche di BLC8G27LS-160AVHY

Stato della parte Affare di ultima volta
Tipo del transistor LDMOS
Frequenza 2.5GHz ~ 2.69GHz
Guadagno 14.5dB
Tensione - prova 28V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 490mA
Uscita elettrica 31.6W
Tensione - stimata 28V
Pacchetto/caso SOT1275-1
Pacchetto del dispositivo del fornitore 6-DFM
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di BLC8G27LS-160AVHY

Rilevazione

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Dettagli di contatto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona di contatto: Darek

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