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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF6G27LS-40PHJ

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF6G27LS-40PHJ

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF6G27LS-40PHJ

Grande immagine :  Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF6G27LS-40PHJ

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000
Contatto

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF6G27LS-40PHJ

descrizione
Numero del pezzo: BLF6G27LS-40PHJ Produttore: Ampleon USA Inc.
Descrizione: FET LDMOS 65V 17DB di RF Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - rf

Specifiche di BLF6G27LS-40PHJ

Stato della parte Affare di ultima volta
Tipo del transistor LDMOS (doppio), fonte comune
Frequenza 2.5GHz ~ 2.7GHz
Guadagno 17.5dB
Tensione - prova 28V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 450mA
Uscita elettrica -
Tensione - stimata 65V
Pacchetto/caso -
Pacchetto del dispositivo del fornitore -
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di BLF6G27LS-40PHJ

Rilevazione

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Prodotto Tag:

Transistor di effetto del giacimento del FET,

Transistor del Mosfet di potere,

Transistor di effetto di campo del chip 75VPower del Mosfet

Dettagli di contatto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona di contatto: Darek

Telefono: +8615017926135

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