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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLC9G24LS-170AVZ

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLC9G24LS-170AVZ

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLC9G24LS-170AVZ
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLC9G24LS-170AVZ

Grande immagine :  Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLC9G24LS-170AVZ

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLC9G24LS-170AVZ

descrizione
Numero del pezzo: BLC9G24LS-170AVZ Produttore: Ampleon USA Inc.
Descrizione: Trasporto RF 170W LDMOS DFM6F Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - rf Serie: *

Specifiche di BLC9G24LS-170AVZ

Stato della parte Obsoleto
Tipo del transistor -
Frequenza -
Guadagno -
Tensione - prova -
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova -
Uscita elettrica -
Tensione - stimata -
Pacchetto/caso -
Pacchetto del dispositivo del fornitore DFM6
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Fabbrica originale nuova.

Imballaggio di BLC9G24LS-170AVZ

Rilevazione

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Persona di contatto: Darek

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