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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLD6G21L-50,112

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLD6G21L-50,112

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLD6G21L-50,112
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLD6G21L-50,112

Grande immagine :  Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLD6G21L-50,112

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLD6G21L-50,112

descrizione
Numero del pezzo: BLD6G21L-50,112 Produttore: Ampleon USA Inc.
Descrizione: FET LDMOS 65V 14.5DB SOT1130A di RF Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - rf

Specifiche BLD6G21L-50,112

Stato della parte Obsoleto
Tipo del transistor LDMOS (doppio), fonte comune
Frequenza 2.02GHz
Guadagno 14.5dB
Tensione - prova 28V
Valutazione corrente 10.2A
Figura di rumore -
Corrente - prova 170mA
Uscita elettrica 8W
Tensione - stimata 65V
Pacchetto/caso SOT-1130A
Pacchetto del dispositivo del fornitore CDFM4
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare BLD6G21L-50,112

Rilevazione

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Dettagli di contatto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona di contatto: Darek

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