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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF6G20S-45,118

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF6G20S-45,118

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF6G20S-45,118
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF6G20S-45,118

Grande immagine :  Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF6G20S-45,118

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF6G20S-45,118

descrizione
Numero del pezzo: BLF6G20S-45,118 Produttore: Ampleon USA Inc.
Descrizione: FET LDMOS 65V 19.2DB SOT608B di RF Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - rf

Specifiche BLF6G20S-45,118

Stato della parte Obsoleto
Tipo del transistor LDMOS
Frequenza 1.8GHz ~ 1.88GHz
Guadagno 19.2dB
Tensione - prova 28V
Valutazione corrente 13A
Figura di rumore -
Corrente - prova 360mA
Uscita elettrica 2.5W
Tensione - stimata 65V
Pacchetto/caso SOT-608B
Pacchetto del dispositivo del fornitore CDFM2
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare BLF6G20S-45,118

Rilevazione

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Dettagli di contatto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona di contatto: Darek

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