Invia messaggio
Richiedere un preventivo |
Casa ProdottiTransistor ad effetto di campo

BLS7G3135LS-350P, 1 chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo

Tutti i prodotti

Circuiti integrati ics

(7037)

Chip IC di memoria

(2998)

Isolatore analogico IC

(2527)

Microcontroller ed unità di elaborazione incastonate

(5000)

Transistor ad effetto di campo

(1837)

Modulo di alimentazione IGBT

(1002)

Triodo del diodo

(303)

Condensatore per tutti gli usi

(41)

Connectors Interconnects

(83)

Induttore di potere di SMD

(100)

Componente del relè

(203)

Fusibili di protezione di circuito

(195)
Sono ora online in chat

BLS7G3135LS-350P, 1 chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo

BLS7G3135LS-350P, 1 chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo
BLS7G3135LS-350P, 1 chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo

Grande immagine :  BLS7G3135LS-350P, 1 chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000
Contatto

BLS7G3135LS-350P, 1 chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo

descrizione
Numero del pezzo: BLS7G3135LS-350P, 1 Produttore: Ampleon USA Inc.
Descrizione: FET LDMOS 65V 10DB SOT539B di RF Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - rf

BLS7G3135LS-350P, specifiche 1

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor LDMOS (doppio), fonte comune
Frequenza 3.5GHz
Guadagno 10dB
Tensione - prova 32V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 200mA
Uscita elettrica 320W
Tensione - stimata 65V
Pacchetto/caso SOT539B
Pacchetto del dispositivo del fornitore SOT539B
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

BLS7G3135LS-350P, 1 che imballa

Rilevazione

BLS7G3135LS-350P, 1 chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo 0BLS7G3135LS-350P, 1 chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo 1BLS7G3135LS-350P, 1 chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo 2BLS7G3135LS-350P, 1 chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo 3

Prodotto Tag:

Transistor di effetto del giacimento del FET,

Transistor del Mosfet di potere,

Transistor di effetto di campo del chip 75VPower del Mosfet

Dettagli di contatto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona di contatto: Darek

Telefono: +8615017926135

Invia la tua richiesta direttamente a noi (0 / 3000)

circa

Circuiti integrati ics

Circuito monolitico 48TQFP CY7C65632-48AXC del ICS USB dei circuiti integrati a semiconduttore di Cypress

Chip del calibro di combustibile del TI BQ20Z65DBTR-R1 del ICS dei circuiti integrati della gestione della batteria

Driver IR IR2110STRPBF dei regolatori dell'accensione dei circuiti integrati CI SMT/di SMD

Microcontroller STM32F405RGT6 e FLASH incluso della st 1024 delle unità di elaborazione MCU

STM32F407VET6 circuiti integrati CI

MCU ha incastonato le unità di elaborazione & i regolatori STM32F103RCT6

Lasciare messaggio

politica sulla riservatezza | Porcellana buon qualità Circuiti integrati ics fornitore. © 2023 integratedcircuitsics.com. All Rights Reserved.