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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF8G27LS-100GVQ

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF8G27LS-100GVQ

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF8G27LS-100GVQ
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF8G27LS-100GVQ

Grande immagine :  Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF8G27LS-100GVQ

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF8G27LS-100GVQ

descrizione
Numero del pezzo: BLF8G27LS-100GVQ Produttore: Ampleon USA Inc.
Descrizione: FET LDMOS 65V 17DB SOT1244C di RF Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - rf

Specifiche di BLF8G27LS-100GVQ

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor LDMOS
Frequenza 2.5GHz ~ 2.7GHz
Guadagno 17dB
Tensione - prova 28V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 900mA
Uscita elettrica 25W
Tensione - stimata 65V
Pacchetto/caso SOT-1244C
Pacchetto del dispositivo del fornitore CDFM6
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di BLF8G27LS-100GVQ

Rilevazione

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Dettagli di contatto
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Persona di contatto: Darek

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