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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLC8G27LS-60AVZ

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLC8G27LS-60AVZ

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLC8G27LS-60AVZ

Grande immagine :  Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLC8G27LS-60AVZ

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLC8G27LS-60AVZ

descrizione
Numero del pezzo: BLC8G27LS-60AVZ Produttore: Ampleon USA Inc.
Descrizione: Trasporto RF 60W LDMOS DFM6F Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - rf Serie: *

Specifiche di BLC8G27LS-60AVZ

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor -
Frequenza -
Guadagno -
Tensione - prova -
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova -
Uscita elettrica -
Tensione - stimata -
Pacchetto/caso SOT1275-3
Pacchetto del dispositivo del fornitore SOT1275-3
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di BLC8G27LS-60AVZ

Rilevazione

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Persona di contatto: Darek

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