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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF2425M9LS30U

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF2425M9LS30U

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF2425M9LS30U

Grande immagine :  Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF2425M9LS30U

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF2425M9LS30U

descrizione
Numero del pezzo: BLF2425M9LS30U Produttore: Ampleon USA Inc.
Descrizione: FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1135B di RF Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - rf

Specifiche di BLF2425M9LS30U

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor LDMOS
Frequenza 2.45GHz
Guadagno 18.5dB
Tensione - prova 32V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 20mA
Uscita elettrica 30W
Tensione - stimata 65V
Pacchetto/caso SOT-1135B
Pacchetto del dispositivo del fornitore SOT1135B
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di BLF2425M9LS30U

Rilevazione

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