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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLL8H1214LS-250U

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLL8H1214LS-250U

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLL8H1214LS-250U

Grande immagine :  Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLL8H1214LS-250U

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000
Contatto

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLL8H1214LS-250U

descrizione
Numero del pezzo: BLL8H1214LS-250U Produttore: Ampleon USA Inc.
Descrizione: FET LDMOS 100V 17DB SOT502B di RF Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - rf

Specifiche di BLL8H1214LS-250U

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor LDMOS
Frequenza 1.2GHz ~ 1.4GHz
Guadagno 17dB
Tensione - prova 50V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 100mA
Uscita elettrica 250W
Tensione - stimata 100V
Pacchetto/caso SOT-502B
Pacchetto del dispositivo del fornitore SOT502B
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di BLL8H1214LS-250U

Rilevazione

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Prodotto Tag:

Transistor di effetto del giacimento del FET,

Transistor del Mosfet di potere,

Transistor di effetto di campo del chip 75VPower del Mosfet

Dettagli di contatto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona di contatto: Darek

Telefono: +8615017926135

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