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BLS6G2735LS-30,112 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip

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BLS6G2735LS-30,112 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip

BLS6G2735LS-30,112 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip
BLS6G2735LS-30,112 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip

Grande immagine :  BLS6G2735LS-30,112 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000
Contatto

BLS6G2735LS-30,112 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip

descrizione
Numero del pezzo: BLS6G2735LS-30,112 Produttore: Ampleon USA Inc.
Descrizione: FET LDMOS 60V 13DB SOT1135B di RF Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - rf

BLS6G2735LS-30,112 Specifications

Part Status Active
Transistor Type LDMOS
Frequency 3.1GHz ~ 3.5GHz
Gain 13dB
Voltage - Test 32V
Current Rating -
Noise Figure -
Current - Test 50mA
Power - Output 30W
Voltage - Rated 60V
Package / Case SOT-1135B
Supplier Device Package CDFM2
Shipment UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Condtion New original factory.

BLS6G2735LS-30,112 Packaging

Detection

BLS6G2735LS-30,112 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip 0BLS6G2735LS-30,112 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip 1BLS6G2735LS-30,112 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip 2BLS6G2735LS-30,112 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip 3

Prodotto Tag:

Transistor di effetto del giacimento del FET,

Transistor del Mosfet di potere,

Transistor di effetto di campo del chip 75VPower del Mosfet

Dettagli di contatto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona di contatto: Darek

Telefono: +8615017926135

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