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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLL6H0514-25,112

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLL6H0514-25,112

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLL6H0514-25,112
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLL6H0514-25,112

Grande immagine :  Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLL6H0514-25,112

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLL6H0514-25,112

descrizione
Numero del pezzo: BLL6H0514-25,112 Produttore: Ampleon USA Inc.
Descrizione: FET LDMOS 100V 21DB SOT467C di RF Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - rf

Specifiche BLL6H0514-25,112

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor LDMOS
Frequenza 1.2GHz ~ 1.4GHz
Guadagno 21dB
Tensione - prova 50V
Valutazione corrente 2.5A
Figura di rumore -
Corrente - prova 50mA
Uscita elettrica 25W
Tensione - stimata 100V
Pacchetto/caso SOT467C
Pacchetto del dispositivo del fornitore SOT467C
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare BLL6H0514-25,112

Rilevazione

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Persona di contatto: Darek

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