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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo CLF1G0035-50,112

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo CLF1G0035-50,112

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo CLF1G0035-50,112
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo CLF1G0035-50,112

Grande immagine :  Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo CLF1G0035-50,112

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo CLF1G0035-50,112

descrizione
Numero del pezzo: CLF1G0035-50,112 Produttore: Ampleon USA Inc.
Descrizione: HEMT 150V 11.5DB SOT467C del FET di RF Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - rf

Specifiche CLF1G0035-50,112

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor HEMT
Frequenza 3GHz
Guadagno 11.5dB
Tensione - prova 50V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 150mA
Uscita elettrica 50W
Tensione - stimata 150V
Pacchetto/caso SOT467C
Pacchetto del dispositivo del fornitore SOT467C
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare CLF1G0035-50,112

Rilevazione

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo CLF1G0035-50,112 0Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo CLF1G0035-50,112 1Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo CLF1G0035-50,112 2Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo CLF1G0035-50,112 3

Dettagli di contatto
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Persona di contatto: Darek

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