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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGHV40030F

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGHV40030F

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGHV40030F
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGHV40030F

Grande immagine :  Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGHV40030F

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000
Contatto

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGHV40030F

descrizione
Numero del pezzo: CGHV40030F Produttore: Cree/Wolfspeed
Descrizione: FET RF 125V 6GHZ 440166 Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - rf

Specifiche di CGHV40030F

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor HEMT
Frequenza 0Hz ~ 6GHz
Guadagno 16dB
Tensione - prova 50V
Valutazione corrente 4.2A
Figura di rumore -
Corrente - prova 150mA
Uscita elettrica 30W
Tensione - stimata 125V
Pacchetto/caso 440166
Pacchetto del dispositivo del fornitore 440166
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di CGHV40030F

Rilevazione

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Prodotto Tag:

Transistor di effetto del giacimento del FET,

Transistor del Mosfet di potere,

Transistor di effetto di campo del chip 75VPower del Mosfet

Dettagli di contatto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona di contatto: Darek

Telefono: +8615017926135

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