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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF184XRU

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF184XRU

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF184XRU
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF184XRU

Grande immagine :  Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF184XRU

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF184XRU

descrizione
Numero del pezzo: BLF184XRU Produttore: Ampleon USA Inc.
Descrizione: FET LDMOS 135V 23DB SOT1214A di RF Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - rf

Specifiche di BLF184XRU

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor LDMOS (doppio), fonte comune
Frequenza 108MHz
Guadagno 23.9dB
Tensione - prova 50V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 100mA
Uscita elettrica 700W
Tensione - stimata 135V
Pacchetto/caso SOT-1214A
Pacchetto del dispositivo del fornitore SOT1214A
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di BLF184XRU

Rilevazione

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