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BLF884P, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

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BLF884P, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

BLF884P, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs
BLF884P, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

Grande immagine :  BLF884P, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

BLF884P, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

descrizione
Numero del pezzo: BLF884P, 112 Produttore: Ampleon USA Inc.
Descrizione: FET LDMOS 104V 21DB SOT1121A di RF Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - rf

BLF884P, 112 specifiche

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor LDMOS (doppio), fonte comune
Frequenza 860MHz
Guadagno 21dB
Tensione - prova 50V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 650mA
Uscita elettrica 150W
Tensione - stimata 104V
Pacchetto/caso SOT-1121A
Pacchetto del dispositivo del fornitore CDFM4
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

BLF884P, 112 che imballano

Rilevazione

BLF884P, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs 0BLF884P, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs 1BLF884P, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs 2BLF884P, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs 3

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Persona di contatto: Darek

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