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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGHV1F025S

Name: Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGHV1F025S
Brand: Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGHV1F025S
SKU: Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGHV1F025S
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (200 reviews)

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGHV1F025S

Grande immagine : Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGHV1F025S

Dettagli:

Luogo di origine:	Originale

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	Negoziabile
Prezzo:	Negotiable
Tempi di consegna:	Negoziabile
Termini di pagamento:	T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione:	100000

Contatto

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGHV1F025S

descrizione

Numero del pezzo:	CGHV1F025S	Produttore:	Cree/Wolfspeed
Descrizione:	FET RF 100V 6GHZ 12DFN	Categoria:	Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:	Transistor - FETs, MOSFETs - rf

Specifiche di CGHV1F025S

Stato della parte	Attivo
Tipo del transistor	HEMT
Frequenza	6GHz
Guadagno	16dB
Tensione - prova	40V
Valutazione corrente	2A
Figura di rumore	-
Corrente - prova	150mA
Uscita elettrica	29W
Tensione - stimata	100V
Pacchetto/caso	12-VFDFN ha esposto il cuscinetto
Pacchetto del dispositivo del fornitore	12-DFN (4x3)
Spedizione	UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza	Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di CGHV1F025S

Rilevazione

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGHV1F025S 0

Prodotto Tag:

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