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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF640U

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF640U

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF640U

Grande immagine :  Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF640U

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000
Contatto

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF640U

descrizione
Numero del pezzo: BLF640U Produttore: Ampleon USA Inc.
Descrizione: FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A di RF Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - rf

Specifiche di BLF640U

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor LDMOS
Frequenza 2.11GHz ~ 2.17GHz
Guadagno 18.5dB
Tensione - prova 28V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 100mA
Uscita elettrica 700mW
Tensione - stimata 65V
Pacchetto/caso SOT-538A
Pacchetto del dispositivo del fornitore 2-CDIP
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di BLF640U

Rilevazione

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF640U 0Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF640U 1Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF640U 2Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLF640U 3

Prodotto Tag:

Transistor di effetto del giacimento del FET,

Transistor del Mosfet di potere,

Transistor di effetto di campo del chip 75VPower del Mosfet

Dettagli di contatto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona di contatto: Darek

Telefono: +8615017926135

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