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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLP7G22-10Z

Name: Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLP7G22-10Z
Brand: Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLP7G22-10Z
SKU: Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLP7G22-10Z
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (138 reviews)

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLP7G22-10Z

Grande immagine : Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLP7G22-10Z

Dettagli:

Luogo di origine:	Originale

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	Negoziabile
Prezzo:	Negotiable
Tempi di consegna:	Negoziabile
Termini di pagamento:	T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione:	100000

Contatto

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLP7G22-10Z

descrizione

Numero del pezzo:	BLP7G22-10Z	Produttore:	Ampleon USA Inc.
Descrizione:	FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN di RF	Categoria:	Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:	Transistor - FETs, MOSFETs - rf

Specifiche di BLP7G22-10Z

Stato della parte	Attivo
Tipo del transistor	LDMOS (doppio), fonte comune
Frequenza	2.14GHz
Guadagno	16dB
Tensione - prova	28V
Valutazione corrente	-
Figura di rumore	-
Corrente - prova	110mA
Uscita elettrica	2W
Tensione - stimata	65V
Pacchetto/caso	12-VDFN ha esposto il cuscinetto
Pacchetto del dispositivo del fornitore	12-HVSON (5x6)
Spedizione	UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza	Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di BLP7G22-10Z

Rilevazione

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLP7G22-10Z 0

Prodotto Tag:

Persona di contatto: Darek

Telefono: +8615017926135

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