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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MW6S004NT1

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MW6S004NT1

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MW6S004NT1
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MW6S004NT1

Grande immagine :  Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MW6S004NT1

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000
Contatto

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MW6S004NT1

descrizione
Numero del pezzo: MW6S004NT1 Produttore: NXP USA Inc.
Descrizione: FET RF 68V 1.96GHZ PLD-1.5 Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - rf

Specifiche MW6S004NT1

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor LDMOS
Frequenza 1.96GHz
Guadagno 18dB
Tensione - prova 28V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 50mA
Uscita elettrica 4W
Tensione - stimata 68V
Pacchetto/caso PLD-1.5
Pacchetto del dispositivo del fornitore PLD-1.5
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare MW6S004NT1

Rilevazione

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Prodotto Tag:

Transistor di effetto del giacimento del FET,

Transistor del Mosfet di potere,

Transistor di effetto di campo del chip 75VPower del Mosfet

Dettagli di contatto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona di contatto: Darek

Telefono: +8615017926135

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