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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8P20100HSR5

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8P20100HSR5

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8P20100HSR5
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8P20100HSR5

Grande immagine :  Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8P20100HSR5

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8P20100HSR5

descrizione
Numero del pezzo: MRF8P20100HSR5 Produttore: NXP USA Inc.
Descrizione: FET RF 2CH 65V 2.03GHZ NI780H-4 Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - rf

Specifiche MRF8P20100HSR5

Stato della parte Cessato alla Digi-chiave
Tipo del transistor LDMOS (doppio)
Frequenza 2.03GHz
Guadagno 16dB
Tensione - prova 28V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 400mA
Uscita elettrica 20W
Tensione - stimata 65V
Pacchetto/caso NI-780S-4
Pacchetto del dispositivo del fornitore NI-780S-4
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare MRF8P20100HSR5

Rilevazione

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Dettagli di contatto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona di contatto: Darek

Telefono: +8615017926135

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