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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8S19260HSR5

Name: Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8S19260HSR5
Brand: Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8S19260HSR5
SKU: Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8S19260HSR5
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (108 reviews)

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8S19260HSR5

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Dettagli:

Luogo di origine:	Originale

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Quantità di ordine minimo:	Negoziabile
Prezzo:	Negotiable
Tempi di consegna:	Negoziabile
Termini di pagamento:	T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione:	100000

Contatto

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8S19260HSR5

descrizione

Numero del pezzo:	MRF8S19260HSR5	Produttore:	NXP USA Inc.
Descrizione:	FET RF 2CH 65V 1.99GHZ NI1230S-8	Categoria:	Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:	Transistor - FETs, MOSFETs - rf

Specifiche MRF8S19260HSR5

Stato della parte	Obsoleto
Tipo del transistor	LDMOS (doppio)
Frequenza	1.99GHz
Guadagno	18.2dB
Tensione - prova	30V
Valutazione corrente	-
Figura di rumore	-
Corrente - prova	1.6A
Uscita elettrica	74W
Tensione - stimata	65V
Pacchetto/caso	SOT-1110B
Pacchetto del dispositivo del fornitore	NI1230S-8
Spedizione	UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza	Nuova fabbrica originale.

Imballare MRF8S19260HSR5

Rilevazione

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8S19260HSR5 0

Prodotto Tag:

Persona di contatto: Darek

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