Invia messaggio
Richiedere un preventivo |
Casa ProdottiTransistor ad effetto di campo

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF7G27L-100,112

Tutti i prodotti

Circuiti integrati ics

(7037)

Chip IC di memoria

(2998)

Isolatore analogico IC

(2527)

Microcontroller ed unità di elaborazione incastonate

(5000)

Transistor ad effetto di campo

(1839)

Modulo di alimentazione IGBT

(1002)

Triodo del diodo

(303)

Condensatore per tutti gli usi

(41)

Connectors Interconnects

(83)

Induttore di potere di SMD

(100)

Componente del relè

(203)

Fusibili di protezione di circuito

(195)
Sono ora online in chat

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF7G27L-100,112

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF7G27L-100,112
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF7G27L-100,112

Grande immagine :  Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF7G27L-100,112

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000
Contatto

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF7G27L-100,112

descrizione
Numero del pezzo: BLF7G27L-100,112 Produttore: Ampleon USA Inc.
Descrizione: FET LDMOS 65V 18DB SOT502A di RF Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - rf

Specifiche BLF7G27L-100,112

Stato della parte Obsoleto
Tipo del transistor LDMOS
Frequenza 2.5GHz ~ 2.7GHz
Guadagno 18dB
Tensione - prova 28V
Valutazione corrente 28A
Figura di rumore -
Corrente - prova 900mA
Uscita elettrica 20W
Tensione - stimata 65V
Pacchetto/caso SOT-502A
Pacchetto del dispositivo del fornitore LDMOST
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare BLF7G27L-100,112

Rilevazione

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF7G27L-100,112 0Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF7G27L-100,112 1Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF7G27L-100,112 2Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF7G27L-100,112 3

Prodotto Tag:

Transistor di effetto del giacimento del FET,

Transistor del Mosfet di potere,

Transistor di effetto di campo del chip 75VPower del Mosfet

Dettagli di contatto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona di contatto: Darek

Telefono: +8615017926135

Invia la tua richiesta direttamente a noi (0 / 3000)

circa

Circuiti integrati ics

Circuito monolitico 48TQFP CY7C65632-48AXC del ICS USB dei circuiti integrati a semiconduttore di Cypress

Chip del calibro di combustibile del TI BQ20Z65DBTR-R1 del ICS dei circuiti integrati della gestione della batteria

Driver IR IR2110STRPBF dei regolatori dell'accensione dei circuiti integrati CI SMT/di SMD

Microcontroller STM32F405RGT6 e FLASH incluso della st 1024 delle unità di elaborazione MCU

STM32F407VET6 circuiti integrati CI

MCU ha incastonato le unità di elaborazione & i regolatori STM32F103RCT6

Lasciare messaggio

politica sulla riservatezza | Porcellana buon qualità Circuiti integrati ics fornitore. © 2023 integratedcircuitsics.com. All Rights Reserved.