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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo CGHV96050F2

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo CGHV96050F2

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo CGHV96050F2
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo CGHV96050F2

Grande immagine :  Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo CGHV96050F2

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo CGHV96050F2

descrizione
Numero del pezzo: CGHV96050F2 Produttore: Cree/Wolfspeed
Descrizione: FET RF 100V 9.6GHZ 440210 Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - rf

Specifiche CGHV96050F2

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor HEMT
Frequenza 7.9GHz ~ 9.6GHz
Guadagno 10dB
Tensione - prova 40V
Valutazione corrente 6A
Figura di rumore -
Corrente - prova 500mA
Uscita elettrica 70W
Tensione - stimata 100V
Pacchetto/caso 440210
Pacchetto del dispositivo del fornitore 440210
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare CGHV96050F2

Rilevazione

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