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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF1K50HR5

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF1K50HR5

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF1K50HR5
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF1K50HR5

Grande immagine :  Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF1K50HR5

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF1K50HR5

descrizione
Numero del pezzo: MRF1K50HR5 Produttore: NXP USA Inc.
Descrizione: TRANSISTOR DI ALTO POTERE RF Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - rf

Specifiche MRF1K50HR5

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor LDMOS
Frequenza 1.8MHz ~ 500MHz
Guadagno 22.5dB
Tensione - prova -
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova -
Uscita elettrica 1500W
Tensione - stimata 50V
Pacchetto/caso SOT-979A
Pacchetto del dispositivo del fornitore NI-1230-4H
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare MRF1K50HR5

Rilevazione

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