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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLA6H0912L-1000U

Name: Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLA6H0912L-1000U
Brand: Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLA6H0912L-1000U
SKU: Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLA6H0912L-1000U
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (108 reviews)

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLA6H0912L-1000U

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Dettagli:

Luogo di origine:	Originale

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	Negoziabile
Prezzo:	Negotiable
Tempi di consegna:	Negoziabile
Termini di pagamento:	T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione:	100000

Contatto

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLA6H0912L-1000U

descrizione

Numero del pezzo:	BLA6H0912L-1000U	Produttore:	Ampleon USA Inc.
Descrizione:	FET LDMOS 100V 15.5DB SOT539A di RF	Categoria:	Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:	Transistor - FETs, MOSFETs - rf

Specifiche di BLA6H0912L-1000U

Stato della parte	Attivo
Tipo del transistor	LDMOS (doppio), fonte comune
Frequenza	1.03GHz
Guadagno	15.5dB
Tensione - prova	50V
Valutazione corrente	-
Figura di rumore	-
Corrente - prova	200mA
Uscita elettrica	1000W
Tensione - stimata	100V
Pacchetto/caso	SOT539A
Pacchetto del dispositivo del fornitore	SOT539A
Spedizione	UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza	Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di BLA6H0912L-1000U

Rilevazione

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLA6H0912L-1000U 0

Prodotto Tag:

Persona di contatto: Darek

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