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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor di PD84006 L-E Field Effect Transistor

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor di PD84006 L-E Field Effect Transistor

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor di PD84006 L-E Field Effect Transistor
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor di PD84006 L-E Field Effect Transistor

Grande immagine :  Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor di PD84006 L-E Field Effect Transistor

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000
Contatto

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor di PD84006 L-E Field Effect Transistor

descrizione
Numero del pezzo: PD84006L-E Produttore: STMicroelectronics
Descrizione: FET RF 25V 870MHZ Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - rf

PD84006 L-E Specifications

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor LDMOS
Frequenza 870MHz
Guadagno 15dB
Tensione - prova 7.5V
Valutazione corrente 5A
Figura di rumore -
Corrente - prova 150mA
Uscita elettrica 2W
Tensione - stimata 25V
Pacchetto/caso 8-PowerVDFN
Pacchetto del dispositivo del fornitore PowerFLAT™ (5x5)
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

PD84006 L-E Packaging

Rilevazione

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Prodotto Tag:

Transistor di effetto del giacimento del FET,

Transistor del Mosfet di potere,

Transistor di effetto di campo del chip 75VPower del Mosfet

Dettagli di contatto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona di contatto: Darek

Telefono: +8615017926135

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