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BLA6G1011L-200RG, 1 chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo

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BLA6G1011L-200RG, 1 chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo

BLA6G1011L-200RG, 1 chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo
BLA6G1011L-200RG, 1 chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo

Grande immagine :  BLA6G1011L-200RG, 1 chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

BLA6G1011L-200RG, 1 chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo

descrizione
Numero del pezzo: BLA6G1011L-200RG, 1 Produttore: Ampleon USA Inc.
Descrizione: FET LDMOS 65V 20DB SOT502D di RF Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - rf

BLA6G1011L-200RG, specifiche 1

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor LDMOS
Frequenza 1.03GHz ~ 1.09GHz
Guadagno 20dB
Tensione - prova 28V
Valutazione corrente 49A
Figura di rumore -
Corrente - prova 100mA
Uscita elettrica 200W
Tensione - stimata 65V
Pacchetto/caso SOT-502D
Pacchetto del dispositivo del fornitore LDMOST
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

BLA6G1011L-200RG, 1 che imballa

Rilevazione

BLA6G1011L-200RG, 1 chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo 0BLA6G1011L-200RG, 1 chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo 1BLA6G1011L-200RG, 1 chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo 2BLA6G1011L-200RG, 1 chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo 3

Dettagli di contatto
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