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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo SD56120

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo SD56120

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo SD56120

Grande immagine :  Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo SD56120

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000
Contatto

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo SD56120

descrizione
Numero del pezzo: SD56120 Produttore: STMicroelectronics
Descrizione: FET rf 65V 860MHZ M246 Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - rf

Specifiche SD56120

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor LDMOS
Frequenza 860MHz
Guadagno 16dB
Tensione - prova 28V
Valutazione corrente 14A
Figura di rumore -
Corrente - prova 400mA
Uscita elettrica 100W
Tensione - stimata 65V
Pacchetto/caso M246
Pacchetto del dispositivo del fornitore M246
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare SD56120

Rilevazione

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Prodotto Tag:

Transistor di effetto del giacimento del FET,

Transistor del Mosfet di potere,

Transistor di effetto di campo del chip 75VPower del Mosfet

Dettagli di contatto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona di contatto: Darek

Telefono: +8615017926135

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