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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRFE6VP8600HR5

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRFE6VP8600HR5

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRFE6VP8600HR5
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRFE6VP8600HR5

Grande immagine :  Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRFE6VP8600HR5

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRFE6VP8600HR5

descrizione
Numero del pezzo: MRFE6VP8600HR5 Produttore: NXP USA Inc.
Descrizione: FET RF 2CH 130V 860MHZ NI-1230 Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - rf

Specifiche MRFE6VP8600HR5

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor LDMOS (doppio)
Frequenza 860MHz
Guadagno 19.3dB
Tensione - prova 50V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 1.4A
Uscita elettrica 125W
Tensione - stimata 130V
Pacchetto/caso NI-1230
Pacchetto del dispositivo del fornitore NI-1230
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare MRFE6VP8600HR5

Rilevazione

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Dettagli di contatto
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