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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF871,112

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF871,112

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF871,112
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF871,112

Grande immagine :  Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF871,112

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF871,112

descrizione
Numero del pezzo: BLF871,112 Produttore: Ampleon USA Inc.
Descrizione: FET LDMOS 89V 19DB SOT467C di RF Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - rf

Specifiche BLF871,112

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor LDMOS
Frequenza 860MHz
Guadagno 19dB
Tensione - prova 40V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 500mA
Uscita elettrica 100W
Tensione - stimata 89V
Pacchetto/caso SOT467C
Pacchetto del dispositivo del fornitore SOT467C
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare BLF871,112

Rilevazione

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