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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF573,112

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF573,112

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF573,112
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF573,112

Grande immagine :  Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF573,112

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF573,112

descrizione
Numero del pezzo: BLF573,112 Produttore: Ampleon USA Inc.
Descrizione: FET LDMOS 110V 27.2DB SOT502A di RF Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - rf

Specifiche BLF573,112

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor LDMOS
Frequenza 225MHz
Guadagno 27.2dB
Tensione - prova 50V
Valutazione corrente 42A
Figura di rumore -
Corrente - prova 900mA
Uscita elettrica 300W
Tensione - stimata 110V
Pacchetto/caso SOT-502A
Pacchetto del dispositivo del fornitore LDMOST
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare BLF573,112

Rilevazione

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