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BLF174XR, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

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BLF174XR, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

BLF174XR, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs
BLF174XR, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

Grande immagine :  BLF174XR, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

BLF174XR, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

descrizione
Numero del pezzo: BLF174XR, 112 Produttore: Ampleon USA Inc.
Descrizione: FET LDMOS 110V 28DB SOT1214A di RF Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - rf

BLF174XR, 112 specifiche

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor LDMOS (doppio), fonte comune
Frequenza 108MHz
Guadagno 28.5dB
Tensione - prova 50V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 100mA
Uscita elettrica 600W
Tensione - stimata 110V
Pacchetto/caso SOT-1214A
Pacchetto del dispositivo del fornitore SOT1214A
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

BLF174XR, 112 che imballano

Rilevazione

BLF174XR, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs 0BLF174XR, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs 1BLF174XR, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs 2BLF174XR, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs 3

Dettagli di contatto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona di contatto: Darek

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