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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo A2T23H300-24SR6

Name: Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo A2T23H300-24SR6
Brand: Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo A2T23H300-24SR6
SKU: Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo A2T23H300-24SR6
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (175 reviews)

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo A2T23H300-24SR6

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Dettagli:

Luogo di origine:	Originale

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	Negoziabile
Prezzo:	Negotiable
Tempi di consegna:	Negoziabile
Termini di pagamento:	T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione:	100000

Contatto

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo A2T23H300-24SR6

descrizione

Numero del pezzo:	A2T23H300-24SR6	Produttore:	NXP USA Inc.
Descrizione:	TRASPORTO RF LDMOS DI IC	Categoria:	Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:	Transistor - FETs, MOSFETs - rf

Specifiche A2T23H300-24SR6

Stato della parte	Attivo
Tipo del transistor	LDMOS (doppio)
Frequenza	2.3GHz
Guadagno	14.9dB
Tensione - prova	28V
Valutazione corrente	-
Figura di rumore	-
Corrente - prova	750mA
Uscita elettrica	66W
Tensione - stimata	65V
Pacchetto/caso	NI-1230-4LS2L
Pacchetto del dispositivo del fornitore	NI-1230-4LS2L
Spedizione	UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza	Nuova fabbrica originale.

Imballare A2T23H300-24SR6

Rilevazione

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo A2T23H300-24SR6 0

Prodotto Tag:

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