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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGH60060D

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGH60060D

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGH60060D

Grande immagine :  Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGH60060D

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000
Contatto

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGH60060D

descrizione
Numero del pezzo: CGH60060D Produttore: Cree/Wolfspeed
Descrizione: Il HEMT 28V del MOSFET di RF MUORE Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - rf

Specifiche di CGH60060D

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor HEMT
Frequenza 6GHz
Guadagno 13dB
Tensione - prova 28V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 400mA
Uscita elettrica 60W
Tensione - stimata 84V
Pacchetto/caso Muoia
Pacchetto del dispositivo del fornitore Muoia
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Fabbrica originale nuova.

Imballaggio di CGH60060D

Rilevazione

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Prodotto Tag:

Transistor di effetto del giacimento del FET,

Transistor del Mosfet di potere,

Transistor di effetto di campo del chip 75VPower del Mosfet

Dettagli di contatto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona di contatto: Darek

Telefono: +8615017926135

Invia la tua richiesta direttamente a noi (0 / 3000)

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