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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF6S20010GNR1

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF6S20010GNR1

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF6S20010GNR1
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF6S20010GNR1

Grande immagine :  Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF6S20010GNR1

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000
Contatto

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF6S20010GNR1

descrizione
Numero del pezzo: MRF6S20010GNR1 Produttore: NXP USA Inc.
Descrizione: FET RF 68V 2.17GHZ TO270-2 GW Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - rf

Specifiche MRF6S20010GNR1

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor LDMOS
Frequenza 2.17GHz
Guadagno 15.5dB
Tensione - prova 28V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 130mA
Uscita elettrica 10W
Tensione - stimata 68V
Pacchetto/caso Ala del gabbiano TO-270-2
Pacchetto del dispositivo del fornitore GABBIANO TO-270-2
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare MRF6S20010GNR1

Rilevazione

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Prodotto Tag:

Transistor di effetto del giacimento del FET,

Transistor del Mosfet di potere,

Transistor di effetto di campo del chip 75VPower del Mosfet

Dettagli di contatto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona di contatto: Darek

Telefono: +8615017926135

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